STP35NF10 Todos los transistores

 

STP35NF10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP35NF10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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STP35NF10 Datasheet (PDF)

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STP35NF10

STB35NF10STP35NF10N-channel 100V - 0.030 - 40A - D2PAK/TO-220Low gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB35NF10 100V

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STP35NF10

STP35NF10STB35NF10N-CHANNEL 100V - 0.030 - 40ATO-220/ D2PAKLOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP35NF10 100 V

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STP35NF10

STB35N65M5, STF35N65M5, STI35N65M5STP35N65M5, STW35N65M5N-channel 650 V, 0.085 , 27 A, MDmesh V Power MOSFETin D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS @ Type RDS(on) max IDTJMAX 33123 12STB35N65M5 710 V

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STP35NF10

GreenProductSTP35N10aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) TypHigh power and current handling capability.100V 35A 30 @ VGS=10VTO-220 package.DGSTP SERIESTO-220SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC=25C unl

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