STP35NF10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP35NF10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP35NF10 datasheet

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STP35NF10

STB35NF10 STP35NF10 N-channel 100V - 0.030 - 40A - D2PAK/TO-220 Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB35NF10 100V

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STP35NF10

STP35NF10 STB35NF10 N-CHANNEL 100V - 0.030 - 40ATO-220/ D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP35NF10 100 V

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STP35NF10

STB35N65M5, STF35N65M5, STI35N65M5 STP35N65M5, STW35N65M5 N-channel 650 V, 0.085 , 27 A, MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 Features VDSS @ Type RDS(on) max ID TJMAX 3 3 1 2 3 1 2 STB35N65M5 710 V

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STP35NF10

Green Product STP35N10 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Typ High power and current handling capability. 100V 35A 30 @ VGS=10V TO-220 package. D G STP SERIES TO-220 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC=25 C unl

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