STP4N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP4N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP4N20 datasheet

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STP4N20

STP4N20 N - CHANNEL 200V - 1.3 - 4A TO-220 POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP4N20 200 V

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STP4N20

STP4NK50Z - STP4NK50ZFP STD4NK50Z - STD4NK50Z-1 N-CHANNEL 500V - 2.4 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP4NK50Z 500 V

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STP4N20

STP4NC60A - STP4NC60AFP STB4NC60A-1 N-CHANNEL 600V - 1.8 - 4.2A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMesh II MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP4NC60A 600V

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stf4n62k3 stfi4n62k3 sti4n62k3 stp4n62k3 stu4n62k3.pdf pdf_icon

STP4N20

STF4N62K3, STFI4N62K3, STI4N62K3, STP4N62K3, STU4N62K3 N-channel 620 V, 1.7 typ., 3.8 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, I PAKFP, I PAK, TO-220 and IPAK packages Datasheet production data Features TAB Order codes VDSS RDS(on) max ID PTOT 3 STF4N62K3 25 W 3 2 2 1 1 STFI4N62K3 25 W TO-220FP I PAK STI4N62K3 620 V

Otros transistores... STP40NF10, STP40NF10L, STP40NF12, STP40NF20, STP42N65M5, STP45NF06, STP45NF3LL, STP4N150, AON6380, STP4N52K3, STP4N62K3, STP4NK50Z, STP4NK50ZD, STP4NK50ZFP, STP4NK60Z, STP4NK60ZFP, STP4NK80Z