STP5NK50Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP5NK50Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP5NK50Z datasheet

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STP5NK50Z

STB5NK50Z/-1 - STD5NK50Z/-1 STP5NK50Z - STP5NK50ZFP N-CHANNEL 500V - 1.22 - 4.4A TO-220/FP-D/IPAK-D2/I2PAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STB5NK50Z 500 V

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STP5NK50Z

STB5NK50Z/-1 - STD5NK50Z/-1 STP5NK50Z - STP5NK50ZFP N-CHANNEL 500V - 1.22 - 4.4A TO-220/FP-D/IPAK-D2/I2PAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STB5NK50Z 500 V

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STP5NK50Z

STD5NK52ZD, STB5NK52ZD-1 STF5NK52ZD,STP5NK52ZD N-channel 520 V,1.22 ,4.4 A,TO-220,IPAK,I2PAK,DPAK,TO-220FP Zener-protected SuperMESH Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max 3 2 IPAK 3 STB5NK52ZD-1 520 V

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STP5NK50Z

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