STP6N52K3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP6N52K3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 525 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de STP6N52K3 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

STP6N52K3 datasheet

 ..1. Size:1153K  st
stb6n52k3 std6n52k3 stf6n52k3 stp6n52k3.pdf pdf_icon

STP6N52K3

STB6N52K3, STD6N52K3 STF6N52K3, STP6N52K3 N-channel 525 V, 1 , 5 A, D PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 SuperMESH3 Power MOSFET Features RDS(on) 3 Order codes VDSS ID Pw max 1 3 2 STB6N52K3 5 A 70 W DPAK 1 STD6N52K3 5 A(1) 25 W TO-220FP 525 V

 8.1. Size:339K  st
stp6n50 stp6n50fi.pdf pdf_icon

STP6N52K3

 9.1. Size:96K  st
stp6na60fp.pdf pdf_icon

STP6N52K3

STP6NA60FP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STP6NA60FP 600 V

 9.2. Size:532K  st
stb6nc80z stp6nc80z.pdf pdf_icon

STP6N52K3

STP6NC80Z - STP6NC80ZFP STB6NC80Z - STB6NC80Z-1 N-CHANNEL 800V - 1.5 - 5.4A TO-220/FP/D PAK/I PAK Zener-Protected PowerMESH III MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP6NC80Z/FP 800V

Otros transistores... STP60NF06, STP60NF06FP, STP60NF06L, STP60NF10, STP60NS04ZB, STP62NS04Z, STP65NF06, STP6N120K3, IRF830, STP6N62K3, STP6N95K5, STP6NK50Z, STP6NK60Z, STP6NK90Z, STP70N10F4, STP70NF03L, STP70NS04ZC