STP6NK60Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP6NK60Z
Código: P6NK60Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 33 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de STP6NK60Z MOSFET
STP6NK60Z Datasheet (PDF)
stb6nk60z stb6nk60z-1 stp6nk60zfp stp6nk60z.pdf

STB6NK60Z - STB6NK60Z-1STP6NK60ZFP - STP6NK60ZN-channel 600 V - 1 - 6 A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAKZener-Protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PWSTB6NK60Z 600 V
stp6nk60z.pdf

STP6NK60Z - STP6NK60ZFPSTB6NK60Z - STB6NK60Z-1N-CHANNEL 600V - 1 - 6A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAKZener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP6NK60Z 600 V
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INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor STP6NK60ZDESCRIPTIONDrain Current I = 6A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 600V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high speed switching applications in switchingpower supplies and
stb6nk60zt4 stp6nk60zfp.pdf

STB6NK60Z - STB6NK60Z-1STP6NK60ZFP - STP6NK60ZN-channel 600 V - 1 - 6 A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAKZener-Protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PWSTB6NK60Z 600 V
Otros transistores... STP60NS04ZB , STP62NS04Z , STP65NF06 , STP6N120K3 , STP6N52K3 , STP6N62K3 , STP6N95K5 , STP6NK50Z , EMB04N03H , STP6NK90Z , STP70N10F4 , STP70NF03L , STP70NS04ZC , STP75N3LLH6 , STP75NF20 , STP75NF68 , STP75NF75 .



Liste
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