STP6NK60Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP6NK60Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Encapsulados: TO220
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STP6NK60Z datasheet
stb6nk60z stb6nk60z-1 stp6nk60zfp stp6nk60z.pdf
STB6NK60Z - STB6NK60Z-1 STP6NK60ZFP - STP6NK60Z N-channel 600 V - 1 - 6 A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID PW STB6NK60Z 600 V
stp6nk60z.pdf
STP6NK60Z - STP6NK60ZFP STB6NK60Z - STB6NK60Z-1 N-CHANNEL 600V - 1 - 6A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP6NK60Z 600 V
stp6nk60z.pdf
INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor STP6NK60Z DESCRIPTION Drain Current I = 6A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 600V(Min) DSS Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high speed switching applications in switching power supplies and
stb6nk60zt4 stp6nk60zfp.pdf
STB6NK60Z - STB6NK60Z-1 STP6NK60ZFP - STP6NK60Z N-channel 600 V - 1 - 6 A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID PW STB6NK60Z 600 V
Otros transistores... STP60NS04ZB, STP62NS04Z, STP65NF06, STP6N120K3, STP6N52K3, STP6N62K3, STP6N95K5, STP6NK50Z, AON7403, STP6NK90Z, STP70N10F4, STP70NF03L, STP70NS04ZC, STP75N3LLH6, STP75NF20, STP75NF68, STP75NF75
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Liste
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