STP6NK90Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP6NK90Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
Encapsulados: TO220
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STP6NK90Z datasheet
stp6nk90z stp6nk90zfp stb6nk90z stw7nk90z.pdf
STP6NK90Z - STP6NK90ZFP STB6NK90Z - STW7NK90Z N-channel 900V - 1.56 - 5.8A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/TO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STP6NK90Z 900 V
stb6nk90zt4 stp6nk90z stp6nk90zfp stw7nk90z.pdf
STB6NK90ZT4, STP6NK90Z STP6NK90ZFP, STW7NK90Z Datasheet N-channel 900 V, 1.56 typ., 5.8 A SuperMESH Power MOSFET in D2PAK, TO-220, TO-220FP and TO-247 packages Features TAB TAB 3 Order codes VDS RDS(on)max. ID 1 2 3 D PAK TO-220 2 1 STB6NK90ZT4 STP6NK90Z 900 V 2 5.8 A STP6NK90ZFP 3 2 STW7NK90Z 3 1 2 TO-220FP TO-247 1 Extremely high dv/dt capability
stp6nk90z.pdf
STP6NK90Z - STP6NK90ZFP STB6NK90Z N-CHANNEL 900V - 1.56 - 5.8A TO-220/TO-220FP/D2PAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP6NK90Z 900 V
stp6nk90z.pdf
INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor STP6NK90Z FEATURES Typical R (on)=1.56 DS With low gate drive requirements Easy to drive 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Ideal for off-line powersupplies adaptors and PFC Lighting High current high speed switching AB
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Liste
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