STP75NF75 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP75NF75

Código: P75NF75

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 300 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 75 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 80 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 117 nC

Tiempo de elevación (tr): 100 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 730 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.011 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

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STP75NF75 Datasheet (PDF)

1.1. stb75nf75 stp75nf75 stp75nf75fp.pdf Size:426K _st

STB75NF75 STP75NF75 - STP75NF75FP N-channel 75V - 0.0095Ω - 80A - TO-220 - TO-220FP - D2PAK STripFET™ II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB75NF75 75V <0.011Ω 80A(1) 3 3 2 STP75NF75 75V <0.011Ω 80A(1) 2 1 1 STP75NF75FP 75V <0.011Ω 80A(1) TO-220 TO-220FP 1. Current limited by package ■ Exceptional dv/dt capability 3 ■ 100% avalanche tested 1

1.2. stb75nf75t4 stp75nf75fp.pdf Size:423K _st

1.3. stp75nf75l.pdf Size:382K _st

STP75NF75L STB75NF75L STB75NF75L-1 N-CHANNEL 75V - 0.009 Ω - 75A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET™ II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB75NF75L/-1 75 V <0.011 Ω 75 A STP75NF75L 75 V <0.011 Ω 75 A TYPICAL RDS(on) = 0.009Ω 3 EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY 3 1 2 1 100% AVALANCHE TESTED I2PAK LOW THRESHOLD DRIVE D2PAK TO-262 TO-263 DESCRIPTION This MOSFET series realize

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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