STP75NF75 Todos los transistores

 

STP75NF75 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP75NF75

Código: P75NF75

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 300 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 75 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 117 nC

Tiempo de elevación (tr): 100 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 730 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.011 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

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STP75NF75 Datasheet (PDF)

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STP75NF75
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STB75NF75STP75NF75 - STP75NF75FPN-channel 75V - 0.0095 - 80A - TO-220 - TO-220FP - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB75NF75 75V

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STP75NF75
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STB75NF75STP75NF75 - STP75NF75FPN-channel 75V - 0.0095 - 80A - TO-220 - TO-220FP - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB75NF75 75V

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STP75NF75LSTB75NF75L STB75NF75L-1N-CHANNEL 75V - 0.009 - 75A D2PAK/I2PAK/TO-220STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB75NF75L/-1 75 V

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STP75NF75
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INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STP75NF75FPFEATURESExcellent switching performanceWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Dra

 0.5. stp75nf75.pdf Size:236K _inchange_semiconductor

STP75NF75
STP75NF75

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor STP75NF75FEATURESDrain Current I = 80A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 75V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.011(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONSuitable as primary switch in advanced hi

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