STP75NS04Z MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STP75NS04Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP75NS04Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 33 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 248 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 628 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: TO220

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

STP75NS04Z datasheet

..1. Size:233K st
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STP75NS04Z N-channel Clamped - 7m - 80A - TO-220 Fully protected MESH Overlay III Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STP75NS04Z Clamped

8.1. Size:426K st
stb75nf75 stp75nf75 stp75nf75fp.pdf pdf_icon

STB75NF75 STP75NF75 - STP75NF75FP N-channel 75V - 0.0095 - 80A - TO-220 - TO-220FP - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB75NF75 75V

8.2. Size:517K st
stb75n20 stp75n20 stw75n20.pdf pdf_icon

STB75N20 STP75N20 - STW75N20 N-channel 200V - 0.028 - 75A - D2PAK - TO-220 - TO-247 Low gate charge STripFET Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB75N20 200V

8.3. Size:382K st
stp75nf75l.pdf pdf_icon