STP78N75F4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP78N75F4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 78 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 382 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP78N75F4 datasheet

 ..1. Size:566K  st
 std78n75f4 stp78n75f4.pdf pdf_icon

STP78N75F4

STD78N75F4 STP78N75F4 N-channel 75 V, 0.0092 , 78 A TO-220, DPAK STripFET DeepGATE Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STD78N75F4 75 V

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