STP80NF55-08 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP80NF55-08  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 830 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP80NF55-08 datasheet

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STP80NF55-08

STB80NF55-08T4 STP80NF55-08, STW80NF55-08 N-channel 55 V, 0.0065 , 80 A, TO-220, D2PAK, TO-247 STripFET Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max 3 STB80NF55-08T4 55 V

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STP80NF55-08

STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1 STP80NF55-06 - STP80NF55-06FP N-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB80NF55-06 55V

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STP80NF55-08

STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1 STP80NF55-06 - STP80NF55-06FP N-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB80NF55-06 55V

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STP80NF55-08

STP80NF55-07 N - CHANNEL 55V - 0.0055 - 80A - TO-220 STripFET POWER MOSFET TARGET DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STP80NF55-07 55 V

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