STP95N3LLH6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STP95N3LLH6
   Código: 95N3LLH6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 91 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0047 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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STP95N3LLH6 Datasheet (PDF)

..1. Size:933K st
stb95n3llh6 std95n3llh6 stp95n3llh6 stu95n3llh6.pdf

STB95N3LLH6, STD95N3LLH6STP95N3LLH6, STU95N3LLH6N-channel 30 V, 0.0037 , 80 A, D2PAK, DPAK, IPAK, TO-220STripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max ID313STB95N3LLH6 30 V 0.0042 80 A 2DPAK1STD95N3LLH6 30 V 0.0042 80 ASTP95N3LLH6 30 V 0.0042 80 A IPAKSTU95N3LLH6 30 V 0.0047 80 A RDS(on) * Qg industry benchmark3

8.1. Size:760K st
std95n4f3 stp95n4f3.pdf

STD95N4F3STP95N4F3N-channel 40 V, 5.0 m, 80 A, DPAK, TO-220STripFET III Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PwmaxSTD95N4F3 40 V

8.2. Size:613K st
std95n2lh5 stp95n2lh5 stu95n2lh5.pdf

STD95N2LH5STP95N2LH5, STU95N2LH5N-channel 25 V, 0.0038 , 80 A, DPAK, IPAK, TO-220STripFET V Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max ID33STD95N2LH5 25 V

8.3. Size:344K st
std95n04 std95n04 stp95n04 stp95n04.pdf