STP9NK70Z MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STP9NK70Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP9NK70Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 143 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP9NK70Z datasheet

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STP9NK70Z - STP9NK70ZFP STB9NK70Z - STB9NK70Z-1 - STW9NK70Z N-CHANNEL 700V - 1 - 7.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP9NK70Z 700 V

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STP9NK70Z - STP9NK70ZFP STB9NK70Z - STB9NK70Z-1 - STW9NK70Z N-CHANNEL 700V - 1 - 7.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP9NK70Z 700 V

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STB9NK90Z, STF9NK90Z STP9NK90Z, STW9NK90Z N-channel 900 V, 1.1 , 8 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max. 3 3 1 STB9NK90Z 160 W 2 1 D PAK TO-220 STW9NK90Z 160 W 900V