STS9NF3LL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STS9NF3LL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: SO8

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STS9NF3LL datasheet

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STS9NF3LL

STS9NF3LL N-CHANNEL 30V - 0.016 - 9A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STS9NF3LL 30 V

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STS9NF3LL

STS9NF30L N-CHANNEL 30V - 0.015 - 9A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STS9NF30L 30 V

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STS9NF3LL

STS9NH3LL N-channel 30 V - 0.018 - 9 A - SO-8 low gate charge STripFET III Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STS9NH3LL 30 V 0.022 9 A Optimal RDS(on) x Qg trade-off @ 4.5 V Conduction losses reduced SO-8 Switching losses reduced Application Switching applications Description Figure 1. Internal schematic diagram This application specific

Otros transistores... STS6NF20V, STS7NF60L, STS7PF30L, STS8C5H30L, STS8DN3LLH5, STS8DNF3LL, STS9D8NH3LL, STS9NF30L, EMB04N03H, STT3PF20V, STU10NM60N, STU11NM60ND, STU12N65M5, STU150N3LLH6, STU16N65M5, STU27N3LH5, STU2N62K3