STS9NF3LL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STS9NF3LL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STS9NF3LL

STS9NF3LL Datasheet (PDF)

..1. Size:278K st
sts9nf3ll.pdf

STS9NF3LLN-CHANNEL 30V - 0.016 - 9A SO-8LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTS9NF3LL 30 V

7.1. Size:281K st
sts9nf30l.pdf

STS9NF30LN-CHANNEL 30V - 0.015 - 9A SO-8LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTS9NF30L 30 V

9.1. Size:349K st
sts9nh3ll.pdf

STS9NH3LLN-channel 30 V - 0.018 - 9 A - SO-8low gate charge STripFET III Power MOSFETFeatures RDS(on) Type VDSS IDmaxSTS9NH3LL 30 V 0.022 9 A Optimal RDS(on) x Qg trade-off @ 4.5 V Conduction losses reducedSO-8 Switching losses reducedApplication Switching applicationsDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThis application specific

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History: HGN046NE6A | AOB2608L

Liste

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