STU75N3LLH6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STU75N3LLH6
   Código: 75N3LLH6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 60 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 75 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 17 nC
   Tiempo de subida (tr): 30 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 290 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0084 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

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STU75N3LLH6 Datasheet (PDF)

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STD75N3LLH6STU75N3LLH6, STU75N3LLH6-SN-channel 30 V, 0.0042 , 75 A, DPAK, IPAK, Short IPAKSTripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max ID31STD75N3LLH6 30 V

..2. Size:1110K st
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STD75N3LLH6, STP75N3LLH6STU75N3LLH6, STU75N3LLH6-SN-channel 30 V, 0.0042 , 75 A, DPAK, TO-220, IPAK, Short IPAKSTripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesTABTABOrder codes VDSS RDS(on) max ID31STD75N3LLH6

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: