STU95N3LLH6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STU95N3LLH6
Código: 95N3LLH6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 91 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STU95N3LLH6
STU95N3LLH6 Datasheet (PDF)
stb95n3llh6 std95n3llh6 stp95n3llh6 stu95n3llh6.pdf
STB95N3LLH6, STD95N3LLH6STP95N3LLH6, STU95N3LLH6N-channel 30 V, 0.0037 , 80 A, D2PAK, DPAK, IPAK, TO-220STripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max ID313STB95N3LLH6 30 V 0.0042 80 A 2DPAK1STD95N3LLH6 30 V 0.0042 80 ASTP95N3LLH6 30 V 0.0042 80 A IPAKSTU95N3LLH6 30 V 0.0047 80 A RDS(on) * Qg industry benchmark3
stu95n4f3.pdf
STD95N4F3STP95N4F3 - STU95N4F3N-channel 40V - 5.4m - 80A - DPAK - TO-220 - IPAKSTripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PwSTD95N4F3 40V
std95n2lh5 stp95n2lh5 stu95n2lh5.pdf
STD95N2LH5STP95N2LH5, STU95N2LH5N-channel 25 V, 0.0038 , 80 A, DPAK, IPAK, TO-220STripFET V Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max ID33STD95N2LH5 25 V
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Liste
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