STW10NK60Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STW10NK60Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 156 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
Encapsulados: TO247
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STW10NK60Z datasheet
stb10nk60z stp10nk60z stp10nk60zfp stw10nk60z.pdf
STB10NK60Z, STP10NK60Z, STP10NK60ZFP, STW10NK60Z N-channel 600 V, 0.65 typ., 10 A SuperMESH Power MOSFET in I2PAK, D2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB RDS(on) Type VDSS ID Pw max TAB 3 3 2 STB10NK60Z-1 600 V
stb10nk60z stp10nk60z stw10nk60z.pdf
STB10NK60Z, STP10NK60Z STW10NK60Z N-channel 650 V, 0.65 , 10 A, SuperMESH Power MOSFET Zener-protected I2PAK, D2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247 Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max 3 STB10NK60Z-1 600 V
stp10nk80zfp stp10nk80z stw10nk80z.pdf
STP10NK80ZFP STP10NK80Z - STW10NK80Z N-channel 800V - 0.78 - 9A - TO-220/FP-TO-247 Zener-protected superMESHTM MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID Pw STP10NK80Z 800V
stp10nk80z stp10nk80zfp stw10nk80z.pdf
STP10NK80Z, STP10NK80ZFP, STW10NK80Z N-channel 800 V, 0.78 , 9 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFETs in TO-220, TO-220FP and TO-247 packages Datasheet production data Features TAB Type VDSS RDS(on) ID Pw STP10NK80Z 800V
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History: STT5PF20V | IRFS630A | IPD170N04NG
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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