STW12NK80Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STW12NK80Z
   Código: W12NK80Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 87 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STW12NK80Z

STW12NK80Z Datasheet (PDF)

..1. Size:526K st
stb12nk80z stp12nk80z stw12nk80z.pdf

STB12NK80ZSTP12NK80Z - STW12NK80ZN-channel 800V - 0.65 - 10.5A - TO-220 - D2PAK - TO-247Zener - Protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) ID PW(@Tjmax)STB12NK80Z 800V

7.1. Size:271K st
stw12nk90z.pdf

STW12NK90ZN-channel 900V - 0.72 - 11A - TO-247Zener-protected SuperMESH Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID pWSTW12NK90Z 900V

7.2. Size:315K st
stw12nk95z.pdf

STW11NK100ZSTW12NK95ZN-channel 950V - 0.69 - 10A - TO-247Zener - Protected SuperMESH PowerMOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID PW(@Tjmax)STW12NK95Z 950 V

7.3. Size:835K st
stp12nk60z stf12nk60z stw12nk60z.pdf

STP12NK60ZSTF12NK60Z, STW12NK60ZN-channel 650 V @Tjmax, 0.53 , 10 A TO-220, TO-220FP, TO-247Zener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Type ID PW(@Tjmax) max332STP12NK60Z 650 V

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Liste

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