STW30NF20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STW30NF20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15.7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
Encapsulados: TO247
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STW30NF20 datasheet
stp30nf20 stw30nf20.pdf
STP30NF20 STW30NF20 N-channel 200V - 0.065 - 30A - TO-220/TO-247 Low gate charge STripFET Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID PTOT STP30NF20 200V 0.075 30A 125W STW30NF20 200V 0.075 30A 125W Gate charge minimized 3 3 2 2 1 1 100% avalanche tested TO-220 TO-247 Excellent figure of merit (RDS*Qg) Very good manufactuing repeability Ver
stp30nf20 stb30nf20 stw30nf20.pdf
STP30NF20 - STB30NF20 STW30NF20 N-channel 200V - 0.065 - 30A - TO-220/TO-247/D2PAK Low gate charge STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID PTOT STP30NF20 200V 0.075 30A 125W STW30NF20 200V 0.075 30A 125W 3 3 2 2 STB30NF20 200V 0.075 30A 125W 1 1 TO-247 3 Gate charge minimized TO-220 1 100% avalanche tested D PAK Excellent figure of me
stp30nf20 stw30nf20 stb30nf20.pdf
STP30NF20 - STB30NF20 STW30NF20 N-channel 200V - 0.065 - 30A - TO-220/TO-247/D2PAK Low gate charge STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID PTOT STP30NF20 200V 0.075 30A 125W STW30NF20 200V 0.075 30A 125W 3 3 2 2 STB30NF20 200V 0.075 30A 125W 1 1 TO-247 3 Gate charge minimized TO-220 1 100% avalanche tested D PAK Excellent figure of me
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STP30NF20 STW30NF20 N-channel 200V - 0.065 - 30A - TO-220/TO-247 Low gate charge STripFET Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID PTOT STP30NF20 200V 0.075 30A 125W STW30NF20 200V 0.075 30A 125W Gate charge minimized 3 3 2 2 1 1 100% avalanche tested TO-220 TO-247 Excellent figure of merit (RDS*Qg) Very good manufactuing repeability Ver
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History: SWD6N80DE
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