STW30NM50N Todos los transistores

 

STW30NM50N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STW30NM50N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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STW30NM50N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:618K  st
 stb30nm50n sti30nm50n stf30nm50n stp30nm50n stw30nm50n.pdf pdf_icon

STW30NM50N

STB30NM50N,STI30NM50N,STF30NM50NSTP30NM50N, STW30NM50NN-channel 500 V, 0.090 , 27 A MDmesh II Power MOSFETD2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesRDS(on) VDSS Type ID(@Tjmax)max33121STB30NM50N 550 V

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STW30NM50N

STB30NM60N,STI30NM60N,STF30NM60NSTP30NM60N, STW30NM60NN-channel 600 V, 0.1 , 25 A, MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAKFeaturesRDS(on) VDSS @ Type ID PWTJmaxmax33121STB30NM60N 650 V

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STW30NM50N

STB30NM60N,STI30NM60N,STF30NM60NSTP30NM60N, STW30NM60NN-channel 600 V, 0.1 , 25 A, MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAKFeaturesRDS(on) VDSS @ Type ID PWTJmaxmax33121STB30NM60N 650 V

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STW30NM50N

STW30NM60DN-channel 600V - 0.125 - 30A - TO-247Fast diode MDmesh Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTW30NM60D 600V

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History: APM4548K

 

 
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