STW32N65M5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STW32N65M5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.119 Ohm
Encapsulados: TO247
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STW32N65M5 datasheet
stb32n65m5 stf32n65m5 sti32n65m5 stp32n65m5 stw32n65m5.pdf
STB32N65M5, STF32N65M5, STI32N65M5 STP32N65M5, STW32N65M5 N-channel 650 V, 0.095 , 24 A, MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 Features VDSS@ Type RDS(on) max ID TJmax 3 3 1 2 3 1 2 STB32N65M5 710 V
stp32n55m5 stw32n55m5.pdf
STP32N55M5, STW32N55M5 N-channel 550 V, 0.074 , 29 A, MDmesh V Power MOSFET in TO-220 and TO-247 Preliminary data Features VDSS RDS(on) Order codes ID @TJmax max STP32N55M5 550 V
stb32nm50n stf32nm50n stp32nm50n stw32nm50n.pdf
STB32NM50N, STF32NM50N, STP32NM50N, STW32NM50N N-channel 500 V, 0.1 typ., 22 A MDmesh II Power MOSFET in D PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 packages Datasheet production data Features TAB RDS(on) Order codes VDS ID PTOT 2 max. 3 1 3 2 STB32NM50N 190 W 1 D PAK TO-220FP STF32NM50N 35 W 500 V 0.13 22 A STP32NM50N 190 W TAB STW32NM50N 190 W 100% avalanche t
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History: IXTT240N15X4HV | IXTP34N65X2 | HCA70R180 | 4N65L-TM3-T | 4N60L-TF1-T | IPP60R099P7
History: IXTT240N15X4HV | IXTP34N65X2 | HCA70R180 | 4N65L-TM3-T | 4N60L-TF1-T | IPP60R099P7
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Liste
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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