STW42N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STW42N65M5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.079 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de STW42N65M5 MOSFET
STW42N65M5 Datasheet (PDF)
stb42n65m5 stf42n65m5 sti42n65m5 stp42n65m5 stw42n65m5.pdf
STx42N65M5N-channel 650 V, 0.070 , 33 A MDmesh V Power MOSFETin I2PAK, TO-220, TO-220FP, D2PAK and TO-247FeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDTJmax max3 3321STB42N65M5 710 V
Otros transistores... STW32N65M5 , STW34NB20 , STW34NM60N , STW34NM60ND , STW35N65M5 , STW36NM60N , STW3N150 , STW40NF20 , AON7403 , STW43NM60N , STW43NM60ND , STW45NM50 , STW45NM50FD , STW45NM60 , STW45NM60D , STW47NM60ND , STW48NM60N .
History: SPA65R38G | MCAC10H03-TP | HCD60R750 | WM02N08G | RQM2201DNS | YJL2303A | IRLU4343PBF
History: SPA65R38G | MCAC10H03-TP | HCD60R750 | WM02N08G | RQM2201DNS | YJL2303A | IRLU4343PBF
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM406MNQ | AGM406MNA | AGM406MBQ | AGM406MBP | AGM406AP | AGM405Q | AGM405MNA | AGM405MBP | AGM405F | AGM405DG | AGM405D | AGM405AP2 | AGM405AP1 | AGM405A | AGM404Q | AGM404D
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