STW42N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STW42N65M5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.079 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de STW42N65M5 MOSFET
STW42N65M5 Datasheet (PDF)
stb42n65m5 stf42n65m5 sti42n65m5 stp42n65m5 stw42n65m5.pdf

STx42N65M5N-channel 650 V, 0.070 , 33 A MDmesh V Power MOSFETin I2PAK, TO-220, TO-220FP, D2PAK and TO-247FeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDTJmax max3 3321STB42N65M5 710 V
Otros transistores... STW32N65M5 , STW34NB20 , STW34NM60N , STW34NM60ND , STW35N65M5 , STW36NM60N , STW3N150 , STW40NF20 , EMB04N03H , STW43NM60N , STW43NM60ND , STW45NM50 , STW45NM50FD , STW45NM60 , STW45NM60D , STW47NM60ND , STW48NM60N .
History: HGS195N15SL | STW34NM60N | UT3N01Z | BLF881S | IXTQ36N50P | BLP12N10G-P | STB12NM50N
History: HGS195N15SL | STW34NM60N | UT3N01Z | BLF881S | IXTQ36N50P | BLP12N10G-P | STB12NM50N



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
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