STW56NM60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STW56NM60N
   Código: 56NM60N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 150 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STW56NM60N

STW56NM60N Datasheet (PDF)

..1. Size:409K st
stw56nm60n.pdf

STW56NM60NN-channel 600 V, 0.05 , 45 A TO-247MDmesh II Power MOSFETPreliminary dataFeaturesRDS(on) Order code VDSS IDmaxSTW56NM60N 600 V

8.1. Size:596K st
stw56n65dm2.pdf

STW56N65DM2 N-channel 650 V, 0.058 typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features R DS(on)Order code V I P DS D TOTmax. STW56N65DM2 650 V 0.065 48 A 360 W Fast-recovery body diode 3 Extremely low gate charge and input 2capacitance 1 Low on-resistance 100% avalanche tested TO-247 Extre

8.2. Size:724K st
stw56n65m2.pdf

STW56N65M2N-channel 650 V, 0.049 typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTW56N65M2 650 V 0.062 49 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (Coss) profile 100% avalanche tested32 Zener-protected1ApplicationsTO-247 Switching applicationsFigure

8.3. Size:907K st
stw56n60m2-4.pdf

STW56N60M2-4 N-channel 600 V, 0.045 typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package Datasheet - production data Features Order code V Jmax DS(on) DDS @ T R max I STW56N60M2-4 650 V 0.055 52 A Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile oss 100%

8.4. Size:676K st
stw56n60m2.pdf

STW56N60M2N-channel 600 V, 0.045 typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS @ TJmax max IDSTW56N60M2 650 V 0.055 52 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (Coss) profile 32 100% avalanche tested1 Zener-protectedTO-247Applications Switching application

8.5. Size:699K st
stw56n65m2-4.pdf

STW56N65M2-4N-channel 650 V, 0.049 typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTW56N65M2-4 650 V 0.062 49 A Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin Extremely low gate charge4 Excellent output capacitance (Coss) profile 32 100% avalanche tes

Otros transistores... STW45NM60 , STW45NM60D , STW47NM60ND , STW48NM60N , STW4N150 , STW52NK25Z , STW54NM65ND , STW55NM60ND , IRF740 , STW58NM60N , STW5NK100Z , STW60N65M5 , STW62NM60N , STW6N120K3 , STW6N95K5 , STW70N10F4 , STW75NF20 .

History: HPB400N06CTA

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: