STW5NK100Z Todos los transistores

 

STW5NK100Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STW5NK100Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 106 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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STW5NK100Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:456K  st
 stp5nk100z stf5nk100z stw5nk100z.pdf pdf_icon

STW5NK100Z

STP5NK100Z, STF5NK100ZSTW5NK100ZN-channel 1000 V, 2.7 , 3.5 A, TO-220, TO-220FP, TO-247SuperMESH3 Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on)max ID(@TJMAX)321STF5NK100Z 1000 V

 ..2. Size:330K  inchange semiconductor
 stw5nk100z.pdf pdf_icon

STW5NK100Z

isc N-Channel MOSFET Transistor STW5NK100ZFEATURESDrain Current : I = 3.5A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 1000V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 3.7(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.

 9.1. Size:256K  st
 stw5nb90.pdf pdf_icon

STW5NK100Z

STW5NB90N - CHANNEL 900V - 2.3 - 5.6A - TO-247PowerMESH MOSFETTYPE V R IDSS DS(on) DSTW5NB90 900 V

 9.2. Size:99K  st
 stw5na100.pdf pdf_icon

STW5NK100Z

STW5NA100STH5NA100FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORSPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTW5NA100 1000 V

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History: AP10N012I | AP04N20GK-HF | MTB03N03H8 | 2SK2698 | STD3N40K3 | AOWF12T60P | AOWF14N50

 

 
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