STW7NK90Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STW7NK90Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STW7NK90Z
STW7NK90Z Datasheet (PDF)
stp6nk90z stp6nk90zfp stb6nk90z stw7nk90z.pdf
STP6NK90Z - STP6NK90ZFPSTB6NK90Z - STW7NK90ZN-channel 900V - 1.56 - 5.8A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/TO-247Zener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTP6NK90Z 900 V
stb6nk90zt4 stp6nk90z stp6nk90zfp stw7nk90z.pdf
STB6NK90ZT4, STP6NK90Z STP6NK90ZFP, STW7NK90ZDatasheetN-channel 900 V, 1.56 typ., 5.8 A SuperMESH Power MOSFET in D2PAK, TO-220, TO-220FP and TO-247 packagesFeaturesTABTAB3Order codes VDS RDS(on)max. ID123D PAKTO-220 21 STB6NK90ZT4STP6NK90Z900 V 2 5.8 ASTP6NK90ZFP32 STW7NK90Z312TO-220FPTO-2471 Extremely high dv/dt capability
sth7na80fi stw7na80.pdf
STW7NA80STH7NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NA80 800 V
stw7nb80.pdf
STW7NB80N-CHANNEL 800V - 1.6 - 6.5A - TO-247PowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NB80 800 V
stw7na100.pdf
STW7NA100STH7NA100FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORSTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NA100 1000 V
sth7na90fi stw7na90.pdf
STW7NA90STH7NA90FI N - CHANNEL 900V - 1.05 - 7A - TO-247/ISOWATT218FAST POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NA90 900 V
stw7n.pdf
STW7NA80STH7NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NA80 800 V
stf7n95k3 stp7n95k3 stw7n95k3.pdf
STF7N95K3STP7N95K3, STW7N95K3N-channel 950 V, 1.1 , 7.2 A, TO-220, TO-220FP, TO-247Zener-protected SuperMESH3 Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID Pwmax3STF7N95K3 950 V
stw7nc80z.pdf
STW7NC80ZN-CHANNEL 800V - 1.5 - 6A TO-247Zener-Protected PowerMESHIII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NC80Z 800 V
stw7nb80-.pdf
STW7NB80N - CHANNEL 800V - 1.6 - 6.5A - TO-247PowerMESH MOSFETPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTW7NB80 800 V
stw7nc90z.pdf
STW7NC90ZN-CHANNEL 900V - 1.55 - 6A TO-247Zener-Protected PowerMESHIII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NC90Z 900 V
stp7n105k5 stu7n105k5 stw7n105k5.pdf
STP7N105K5, STU7N105K5, STW7N105K5N-channel 1050 V, 1.4 typ., 4 A Zener-protected SuperMESH 5Power MOSFETs in TO-220, IPAK and TO-247 packagesDatasheet - preliminary dataFeatures TABOrder codes VDS RDS(on) max. ID PTOTSTP7N105K5321STU7N105K5 1050 V 2 4 A 110 W 32TO-2201 STW7N105K5TO-247TAB IPAK 1050 V worldwide best RDS(on) Worldwide best F
stw7na80.pdf
STW7NA80STH7NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NA80 800 V
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918