STW9NK70Z Todos los transistores

 

STW9NK70Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STW9NK70Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 143 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO247

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STW9NK70Z datasheet

 ..1. Size:668K  st
 stp9nk70z stp9nk70zfp stb9nk70z stb9nk70z-1 stw9nk70z.pdf pdf_icon

STW9NK70Z

STP9NK70Z - STP9NK70ZFP STB9NK70Z - STB9NK70Z-1 - STW9NK70Z N-CHANNEL 700V - 1 - 7.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP9NK70Z 700 V

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 stb9nk90z stf9nk90z stp9nk90z stw9nk90z.pdf pdf_icon

STW9NK70Z

STB9NK90Z, STF9NK90Z STP9NK90Z, STW9NK90Z N-channel 900 V, 1.1 , 8 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max. 3 3 1 STB9NK90Z 160 W 2 1 D PAK TO-220 STW9NK90Z 160 W 900V

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STW9NK70Z

STW9NK95Z N-channel 950 V - 1.15 - 7 A - TO-247 Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID Pw Max STW9NK95Z 950 V

 8.3. Size:305K  inchange semiconductor
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STW9NK70Z

iscN-Channel MOSFET Transistor STW9NK90Z FEATURES Drain Current I =8A@ T =25 D C Drain Source Voltage V =900V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =1.3 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. ABSOL

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