BSB012N03LX3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSB012N03LX3G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 39 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3300 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0012 Ohm
Encapsulados: WDSON2
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BSB012N03LX3G datasheet
bsb012n03lx3.pdf
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History: STY60NM60
History: STY60NM60
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