BSB012N03LX3G Todos los transistores

 

BSB012N03LX3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSB012N03LX3G
   Código: 0103'
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 39 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 127 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0012 Ohm
   Paquete / Cubierta: WDSON2
     - Selección de transistores por parámetros

 

BSB012N03LX3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:555K  infineon
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BSB012N03LX3G

& " + $ !#& '$>EFeatures 0 VDSU * CG

 2.1. Size:300K  infineon
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BSB012N03LX3G

BSB012N03LX3 G OptiMOSTM3 Power-MOSFETProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Optimized for high switching frequency DC/DC converterR 1.2mDS(on),max Very low on-resistance RDS(on)I 180 AD Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)MG-WDSON-2 Low parasitic inductance Low profile (

 7.1. Size:1460K  infineon
 bsb012ne2lxi.pdf pdf_icon

BSB012N03LX3G

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM Power-MOSFET, 25 VBSB012NE2LXIData SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM Power-MOSFET, 25 VBSB012NE2LXICanPAK MX-size1 DescriptionFeatures Optimized SyncFET for high performance Buck converter Integrated monolithic Schottky like diode Low profile (

 7.2. Size:1445K  infineon
 bsb012ne2lx.pdf pdf_icon

BSB012N03LX3G

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSB012NE2LX Data Sheet2.3, 2011-09-16Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSB012NE2LX1 DescriptionOptiMOS25V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make OptiMOS

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History: IRLR7807Z | AM2336N-T1

 

 
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