BSC016N03MSG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSC016N03MSG
   Código: 016N03MS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 130 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSC016N03MSG

BSC016N03MSG Datasheet (PDF)

..1. Size:542K infineon
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3.1. Size:194K infineon
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BSC016N03MS GProduct SummaryOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETV 30 VDSFeaturesR V =10 V 1.6mDS(on),max GS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)V =4.5 V 2GS Low FOMSW for High Frequency SMPSI 100 AD 100% avalanche tested N-channelPG-TDSON-8 Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R product

5.1. Size:385K infineon
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BSC016N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 1.6mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 100 AD Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)

5.2. Size:679K infineon
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Liste

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