BSC016N03MSG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSC016N03MSG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 100 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 63 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0016 Ohm

Empaquetado / Estuche: SuperSO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSC016N03MSG

BSC016N03MSG Datasheet (PDF)

1.1. bsc016n03msg rev1.17.pdf Size:542K _infineon

% ! % #<:/?.> %?88,;53F;A@ ) AF74AA= 0" +* ' 0 G S 'AI !* ( 8AD #;9: !D7CG7@5K .( +. 1 D S 3H3>3@5:7 F7EF76 S ) 5:3@@7> G? D ON? S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 0 D n) G S J57>>7@F 93F7 5:3D97 J BDA6G5F !* ( D n) 1) S , G3>;8;76 355AD6;@9 FA % 8AD F3D97F 3BB>;53F;A@E S .GB7D;AD F:7D?3

1.2. bsc016n03ls rev1.28.pdf Size:679K _infineon

& " & E $;B1= !#& ' $=;0@/? &@99-=D Features D Q 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*- 1 m D n) m x Q ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BC 1 D 1) Q + E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?C G? D ON? Q ( 492??6= Q &@8:4 =6F6= Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n) Q /6BI =@G @? B6C:CD2?46 D n) Q -EA6B:@B D96B>2= B6C:CD2?46 Q F2=2?496 B2D65 Q *3 7B66 A=2D:?8 ,

2.1. bsc016n04lsg rev2.0.pdf Size:311K _infineon

BSC016N04LS G OptiMOS�3 Power-Transistor Product Summary V 40 V Features DS R 1.6 m? � Fast switching MOSFET for SMPS DS(on),max I 100 A � Optimized technology for DC/DC converters D � Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8 � N-channel � Logic level � Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) � Very low on-resistance R DS(on) � Superior thermal res

Otros transistores... BSB024N03LXG , BSB028N06NN3G , BSB053N03LPG , BSC010NE2LS , BSC011N03LS , BSC014N03LSG , BSC014N03MSG , BSC016N03LSG , CEP83A3 , BSC016N04LSG , BSC017N04NSG , BSC018N04LSG , BSC018NE2LS , BSC019N02KSG , BSC019N04NSG , BSC020N025SG , BSC020N03LSG .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: