BSC016N03MSG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSC016N03MSG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 100 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 63 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0016 Ohm

Empaquetado / Estuche: SuperSO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSC016N03MSG

BSC016N03MSG Datasheet (PDF)

1.1. bsc016n03ls rev1.28.pdf Size:679K _infineon

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1.2. bsc016n03msg rev1.17.pdf Size:542K _infineon

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2.1. bsc016n04lsg rev2.0.pdf Size:311K _infineon

BSC016N04LS G OptiMOS�3 Power-Transistor Product Summary V 40 V Features DS R 1.6 m? � Fast switching MOSFET for SMPS DS(on),max I 100 A � Optimized technology for DC/DC converters D � Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8 � N-channel � Logic level � Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) � Very low on-resistance R DS(on) � Superior thermal res

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: