BSC018N04LSG Todos los transistores

 

BSC018N04LSG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSC018N04LSG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V

Corriente continua de drenaje (Id): 100 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 113 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0018 Ohm

Empaquetado / Estuche: SuperSO8

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BSC018N04LSG Datasheet (PDF)

1.1. bsc018n04lsg rev1.4.pdf Size:651K _infineon

BSC018N04LSG
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3.1. bsc018ne2lsi.pdf Size:637K _update-mosfet

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BSC018NE2LSI OptiMOSTM Power-MOSFET Product Summary Features VDS 25 V • Optimized for high performance Buck converter RDS(on),max 1.8 mW • Monolithic integrated Schottky like diode A ID 100 • Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS QOSS 23 nC • 100% avalanche tested 36 nC QG(0V..10V) • N-channel • Qualified according to JEDEC1) for target applicatio

3.2. bsc018ne2ls rev2.1.pdf Size:1615K _infineon

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n-Channel Power MOSFET OptiMOS BSC018NE2LS Data Sheet 2.1, 2011-09-20 Final Industrial & Multimarket OptiMOS Power-MOSFET BSC018NE2LS 1 Description OptiMOS25V products are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages make OptiMOS 25V t

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