BSC020N03MSG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSC020N03MSG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1900 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
Encapsulados: TDSON8
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BSC020N03MSG datasheet
bsc020n03msg.pdf
BSC020N03MS G OptiMOS 3 M-Series Power-MOSFET Product Summary Features V 30 V DS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) R V =10 V 2 m DS(on),max GS V =4.5 V 2.5 Low FOMSW for High Frequency SMPS GS I 100 A D 100% Avalanche tested PG-TDSON-8 N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS Excellent gate charge x R product
bsc020n03ms.pdf
BSC020N03MS G OptiMOS 3 M-Series Power-MOSFET Product Summary Features V 30 V DS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) R V =10 V 2 m DS(on),max GS V =4.5 V 2.5 Low FOMSW for High Frequency SMPS GS I 100 A D 100% Avalanche tested PG-TDSON-8 N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS Excellent gate charge x R product
bsc020n03ls.pdf
BSC020N03LS G OptiMOS 3 Power-MOSFET Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 2 m DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 100 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) Superio
bsc020n03ls .pdf
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Otros transistores... BSC016N04LSG , BSC017N04NSG , BSC018N04LSG , BSC018NE2LS , BSC019N02KSG , BSC019N04NSG , BSC020N025SG , BSC020N03LSG , NCEP15T14 , BSC022N03SG , BSC024NE2LS , BSC025N03LSG , BSC025N03MSG , BSC026N02KSG , BSC027N04LSG , BSC028N06LS3G , BSC030N03LSG .
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