BSC050NE2LS Todos los transistores

 

BSC050NE2LS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSC050NE2LS
   Código: 050NE2LS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON8
 

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BSC050NE2LS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1634K  infineon
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BSC050NE2LS

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSC050NE2LS Data Sheet2.1, 2011-09-20Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSC050NE2LS1 DescriptionOptiMOS25V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make OptiMO

 ..2. Size:830K  infineon
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BSC050NE2LS

BSC050NE2LSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 25 V Optimized for high performance Buck converter RDS(on),max 5.0 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GSID 58 A 100% avalanche testedQGD 1.3 nC Superior thermal resistanceQG(0V..10V) 10.4 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8

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BSC050NE2LS

BSC050N03MS GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct Summary Features VDS 30 V Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) RDS(on),max VGS=10 V 5 mW Low FOMSW for High Frequency SMPSVGS=4.5 V 6.3 100% avalanche tested ID 80 A PG-TDSON-8 N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM)DS

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BSC050NE2LS

BSC050N10NS5MOSFETSuperSO8OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 100 V5867Features 7685 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel4 Pb-free lead plating; RoHS compliant132 2 Halogen-free according to IEC61249-2-213 14 175C ratedProduct Validation:Qualified for

Otros transistores... BSC042N03MSG , BSC042N03SG , BSC042NE7NS3G , BSC046N02KSG , BSC047N08NS3G , BSC050N03LSG , BSC050N03MSG , BSC050N04LSG , IRF520 , BSC052N03LS , BSC052N03SG , BSC054N04NSG , BSC057N03LSG , BSC057N03MSG , BSC057N08NS3G , BSC059N03SG , BSC059N04LSG .

History: AOW29S50 | UPA1792G

 

 
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