BSC052N03LS Todos los transistores

 

BSC052N03LS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSC052N03LS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON8
 

 Búsqueda de reemplazo de BSC052N03LS MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BSC052N03LS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1611K  infineon
bsc052n03ls.pdf pdf_icon

BSC052N03LS

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSC052N03LS Data Sheet2.1, 2011-09-23Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSC052N03LS1 DescriptionOptiMOS30V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make OptiMOS

 5.1. Size:639K  infineon
bsc052n03s g.pdf pdf_icon

BSC052N03LS

% ! % D #:A0

 6.1. Size:1175K  infineon
bsc052n08ns5.pdf pdf_icon

BSC052N03LS

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 VBSC052N08NS5Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 VBSC052N08NS5SuperSO81 Description5867Features7685 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. 100% avalanche tested Superior thermal re

 9.1. Size:486K  infineon
bsc057n03ms.pdf pdf_icon

BSC052N03LS

BSC057N03MS GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 30 V Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)RDS(on),max VGS=10 V 5.7 mW Low FOMSW for High Frequency SMPSVGS=4.5 V 7.2 100% avalanche testedID 71 A N-channelPG-TDSON-8 Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM

Otros transistores... BSC042N03SG , BSC042NE7NS3G , BSC046N02KSG , BSC047N08NS3G , BSC050N03LSG , BSC050N03MSG , BSC050N04LSG , BSC050NE2LS , RU6888R , BSC052N03SG , BSC054N04NSG , BSC057N03LSG , BSC057N03MSG , BSC057N08NS3G , BSC059N03SG , BSC059N04LSG , BSC060N10NS3G .

 

 
Back to Top

 


 
.