BSC118N10NSG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSC118N10NSG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0118 Ohm
Paquete / Cubierta: TDSON8
Búsqueda de reemplazo de BSC118N10NSG MOSFET
BSC118N10NSG Datasheet (PDF)
bsc118n10ns8 bsc118n10nsg.pdf

BSC118N10NS GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 100 VDS N-channel, normal levelR 11.8mDS(on),max Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 71 AD Very low on-resistance RDS(on) 150 C operating temperaturePG-TDSON-8 Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ide
bsc110n15ns5.pdf

BSC110N15NS5MOSFETSuperSO8OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 150 V5867Features 7685 N-channel, normal level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) 150 C operating temperature4 Pb-free lead plating; RoHS compliant132 2 Qualified according to JEDEC1) for target application3 14 Ideal for hig
bsc112n06ld.pdf

BSC112N06LDMOSFETPG-TDSON-8-4OptiMOSTM-T2 Power Transistor, 60 V8 17Features 26354 Dual N-channel, Logic level Fast switching MOSFETs for SMPS Optimized technology for Synchronous Rectification Pb-free plating; RoHS compliant182 7 100% Avalanche tested3 654 Superior Thermal Resistance Halogen-free according to IEC61249-2-21Product Va
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History: SPP04N60C3 | SI2302ADS-T1 | 2SK804 | PSMN9R0-30LL | FDW256P | IRFP4332PBF | SSM6K407TU
History: SPP04N60C3 | SI2302ADS-T1 | 2SK804 | PSMN9R0-30LL | FDW256P | IRFP4332PBF | SSM6K407TU



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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