BSC16DN25NS3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSC16DN25NS3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 44 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.165 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSC16DN25NS3G

BSC16DN25NS3G Datasheet (PDF)

..1. Size:577K infineon
bsc16dn25ns3 bsc16dn25ns3g.pdf

TypeBSC16DN25NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 250 V Optimized for dc-dc conversionRDS(on),max 165mW N-channel, normal levelID 10.9 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Low on-resistance RDS(on)PG-TDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) f

9.1. Size:545K infineon
bsc160n10ns3 bsc160n10ns3g.pdf

TypeBSC160N10NS3 GTM 3 Power-TransistorProduct SummaryVDS 100 V9 .1)+ )7%$ &-/ $# $# # -,3%/0)-,RDS(on),max 16m 9 # (!,,%* ,-/+ !* *%3%*ID 42 A9 5# %**%,1 '!1% # (!/'% 5 R product (FOM)DS(on)9 %/6 *-4 -, /%0)01!,# % RDS(on)PG-TDSON-89 8 -.%/!1),' 1%+ .%/!12/%9 " &/%% *%!$ .*!1),' - # -+ .*)!,11)9 2!*)&)%$ !# # -/$),' 1- for target application9 !*-'%, &/%%

9.2. Size:1025K infineon
bsc160n15ns5.pdf

BSC160N15NS5MOSFETSuperSO8OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 150 V5867Features 7685 N-channel, normal level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Very low reverse recovery charge (Qrr)4 150 C operating temperature132 2 Pb-free lead plating; RoHS compliant3 14 Qualified according to JEDEC

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SI2351DS-T1

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: