BSC265N10LSFG Todos los transistores

 

BSC265N10LSFG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSC265N10LSFG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0265 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON8
 

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BSC265N10LSFG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:654K  infineon
 bsc265n10lsfg bsc265n10lsfg8.pdf pdf_icon

BSC265N10LSFG

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History: IRFY440-T257 | 10N60G-TF1-T | R5016FNX | FHU5N60A | TPC65R280D | IRLML2803 | BRCS120N03YA

 

 
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