BSO040N03MSG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSO040N03MSG  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: SO8

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BSO040N03MSG datasheet

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BSO040N03MSG

BSO040N03MS G OptiMOS 3 M-Series Power-MOSFET Product Summary Features V 30 V DS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) R V =10 V 4 m DS(on),max GS Low FOMSW for High Frequency SMPS V =4.5 V 4.9 GS 100% Avalanche tested I 20 A D N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM) PG-DS

 3.1. Size:672K  infineon
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BSO040N03MSG

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Otros transistores... BSL211SP, BSL215P, BSL307SP, BSL308PE, BSL314PE, BSL315P, BSO604NS2, BSO033N03MSG, IRFP450, BSO051N03MSG, BSO052N03S, BSO064N03S, BSO065N03MSG, BSO072N03S, BSO080P03NS3G, BSO080P03NS3EG, BSO080P03SH