BSO040N03MSG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSO040N03MSG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
BSO040N03MSG Datasheet (PDF)
bso040n03msg.pdf

BSO040N03MS GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)R V =10 V 4mDS(on),max GS Low FOMSW for High Frequency SMPSV =4.5 V 4.9GS 100% Avalanche testedI 20 AD N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM)PG-DS
bso040n03ms.pdf

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Otros transistores... BSL211SP , BSL215P , BSL307SP , BSL308PE , BSL314PE , BSL315P , BSO604NS2 , BSO033N03MSG , STF13NM60N , BSO051N03MSG , BSO052N03S , BSO064N03S , BSO065N03MSG , BSO072N03S , BSO080P03NS3G , BSO080P03NS3EG , BSO080P03SH .
History: AP2P028EM | AP9468GS-HF
History: AP2P028EM | AP9468GS-HF



Liste
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