BSO040N03MSG Todos los transistores

 

BSO040N03MSG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSO040N03MSG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

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BSO040N03MSG Datasheet (PDF)

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BSO040N03MSG

BSO040N03MS G OptiMOS 3 M-Series Power-MOSFET Product Summary Features V 30 V DS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) R V =10 V 4 m DS(on),max GS Low FOMSW for High Frequency SMPS V =4.5 V 4.9 GS 100% Avalanche tested I 20 A D N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM) PG-DS

 3.1. Size:672K  infineon
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BSO040N03MSG

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