BSO200N03S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSO200N03S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 2.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSO200N03S

BSO200N03S Datasheet (PDF)

..1. Size:653K infineon
bso200n03s rev1.7 g.pdf

BSO200N03S "9@/; %;+877+;BFeatures VDSQ 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*-m DS(on) maxQ ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B ?@D63@@

..2. Size:877K cn vbsemi
bso200n03s.pdf

BSO200N03Swww.VBsemi.twN-Channel 20V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 1220 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 11Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side Switch

5.1. Size:640K infineon
bso200n03 v1.4 g.pdf

BSO200N03 "9@/; %;+877+;BFeatures VDSP 1BC BF9C389>7 &( , - 6?A ,&),m DS(on) maxP ( @C9=9I54 C538>?BPDSO8-85A=135 :D>3C9?> B?7 @?9>C-85A=135 :D>3C9?> 1=295>CP G35

5.2. Size:882K cn vbsemi
bso200n03.pdf

BSO200N03www.VBsemi.twDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFETPower MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested0.016 at VGS = 10 V 8.5 100 % UIS Tested30 7.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.020 at VGS = 4.5 V 7.6APPLICATIONS Notebook System Power Low Current DC/DCD 1 D 2 SO-8 S

8.1. Size:326K infineon
bso200p03sh bso200p03s bso200p03s .pdf

BSO200P03S HOptiMOS-P Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV -30 VDS P-ChannelR 20mDS(on),max Enhancement modeI -9.1 AD Logic level 150C operating temperaturePG-DSO-8 Qualified according JEDEC for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21Type Package Marking Lead free Halo

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXFH90N20X3

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: