BSO220N03MDG Todos los transistores

 

BSO220N03MDG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSO220N03MDG
   Código: 220N03MD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSO220N03MDG

 

BSO220N03MDG Datasheet (PDF)

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BSO220N03MDG
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BSO220N03MD GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Dual N-channelR V =10 V 22mDS(on),max GS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)V =4.5 V 27GS Low FOMSW for High Frequency SMPSI 7.7 AD 100% Avalanche tested Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM)

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BSO220N03MDG
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BSO220N03MD GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Dual N-channelR V =10 V 22mDS(on),max GS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)V =4.5 V 27GS Low FOMSW for High Frequency SMPSI 7.7 AD 100% Avalanche tested Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM)

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BSO220N03MDG
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BSO220N03MDG
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