BSO220N03MSG Todos los transistores

 

BSO220N03MSG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSO220N03MSG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
     - Selección de transistores por parámetros

 

BSO220N03MSG Datasheet (PDF)

 3.1. Size:671K  infineon
 bso220n03ms.pdf pdf_icon

BSO220N03MSG

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 4.1. Size:300K  infineon
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BSO220N03MSG

BSO220N03MD GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Dual N-channelR V =10 V 22mDS(on),max GS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)V =4.5 V 27GS Low FOMSW for High Frequency SMPSI 7.7 AD 100% Avalanche tested Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM)

 4.2. Size:299K  infineon
 bso220n03md.pdf pdf_icon

BSO220N03MSG

BSO220N03MD GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Dual N-channelR V =10 V 22mDS(on),max GS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)V =4.5 V 27GS Low FOMSW for High Frequency SMPSI 7.7 AD 100% Avalanche tested Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM)

 4.3. Size:672K  infineon
 bso220n03md .pdf pdf_icon

BSO220N03MSG

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History: SM7580NSF | ME7442D-G | HUFA75545P3 | FRS130R | IRF9362PBF | IXTY2N100P | IXTH27N40MB

 

 
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