BSP92P Todos los transistores

 

BSP92P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSP92P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.26 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 12 Ohm

Encapsulados: SOT223

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BSP92P datasheet

 ..1. Size:408K  infineon
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BSP92P

BSP92P SIPMOS Small-Signal-Transistor Product Summary Feature VDS -250 V P-Channel RDS(on) 12 Enhancement mode ID -0.26 A Logic Level PG-SOT223 dv/dt rated Drain 4 pin 2/4 Qualified according to AEC Q101 Gate pin1 3 Source 2 pin 3 1 VPS05163 Type Package Pb-free Tape and Reel Information Marking PG-SOT223 Yes BSP92P L6327 10

 9.1. Size:52K  philips
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BSP92P

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BSP92 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor April 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC13b Philips Semiconductors Product specification P-channel enhancement mode vertical BSP92 D-MOS transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low threshold voltage VGS(th) SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Direct interf

Otros transistores... BSP170P , BSP171P , BSP315P , BSP316P , BSP317P , BSP321P , BSP322P , BSP613P , IRF540 , BSR315P , BSR316P , BSR92P , BSS192P , BSS209PW , BSS215P , BSS223PW , BSS308PE .

History: BUK6C3R3-75C | BUZ73LH | IMZ120R090M1H

 

 

 

 

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