BSP92P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSP92P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.26 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 12 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSP92P

BSP92P Datasheet (PDF)

..1. Size:408K infineon
bsp92p.pdf

BSP92PSIPMOS Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeatureVDS -250 V P-ChannelRDS(on) 12 Enhancement modeID -0.26 A Logic LevelPG-SOT223 dv/dt ratedDrain4pin 2/4 Qualified according to AEC Q101 Gatepin13Source2pin 3 1VPS05163Type Package Pb-free Tape and Reel Information MarkingPG-SOT223 YesBSP92P L6327: 10

9.1. Size:52K philips
bsp92.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSP92P-channel enhancement modevertical D-MOS transistorApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationP-channel enhancement mode verticalBSP92D-MOS transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low threshold voltage VGS(th)SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Direct interf

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: