BSS215P Todos los transistores

 

BSS215P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSS215P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 102 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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BSS215P Datasheet (PDF)

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BSS215P

BSS215P#

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BSS215P

Product specificationBSS215POptiMOS P2 Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV -20 VDS P-channelR V =-4.5 V 150mDS(on),max GS Enhancement modeV =-2.5 V 280GS Super Logic Level (2.5V rated)I -1.5 AD Avalanche ratedPG-SOT23 Qualified according to AEC Q1013 100% lead-free; RoHS compliant Halogen-free according to IEC6124

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BSS215P

BSS214NWOptiMOS2 Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV 20 VDS N-channelR V =4.5 V 140mDS(on),max GS Enhancement modeV =2.5 V 250GS Super Logic level (2.5V rated)I 1.5 AD Avalanche rated Qualified according to AEC Q101PG-SOT323 100% lead-free; RoHS compliant3 Halogen-free according to IEC61249-2-2112Type Package

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BSS215P

BSS214NOptiMOS2 Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV 20 VDS N-channelR V =4.5 V 140mDS(on),max GS Enhancement modeV =2.5 V 250GS Super Logic level (2.5V rated)I 1.5 AD Avalanche rated Qualified according to AEC Q101PG-SOT23 100% lead-free; RoHS compliant3 Halogen-free according to IEC61249-2-2112Type Package Ta

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History: AM5460N | SPB80P06PG | SIHFBE20 | BSZ086P03NS3G | PKE02BB

 

 
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