BSS215P Todos los transistores

 

BSS215P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSS215P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 102 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: SOT23

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BSS215P datasheet

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BSS215P

BSS215P #

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BSS215P

Product specification BSS215P OptiMOS P2 Small-Signal-Transistor Product Summary Features V -20 V DS P-channel R V =-4.5 V 150 m DS(on),max GS Enhancement mode V =-2.5 V 280 GS Super Logic Level (2.5V rated) I -1.5 A D Avalanche rated PG-SOT23 Qualified according to AEC Q101 3 100% lead-free; RoHS compliant Halogen-free according to IEC6124

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BSS215P

BSS214NW OptiMOS 2 Small-Signal-Transistor Product Summary Features V 20 V DS N-channel R V =4.5 V 140 m DS(on),max GS Enhancement mode V =2.5 V 250 GS Super Logic level (2.5V rated) I 1.5 A D Avalanche rated Qualified according to AEC Q101 PG-SOT323 100% lead-free; RoHS compliant 3 Halogen-free according to IEC61249-2-21 1 2 Type Package

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BSS215P

BSS214N OptiMOS 2 Small-Signal-Transistor Product Summary Features V 20 V DS N-channel R V =4.5 V 140 m DS(on),max GS Enhancement mode V =2.5 V 250 GS Super Logic level (2.5V rated) I 1.5 A D Avalanche rated Qualified according to AEC Q101 PG-SOT23 100% lead-free; RoHS compliant 3 Halogen-free according to IEC61249-2-21 1 2 Type Package Ta

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History: STF4NK50ZD | AOD7S60 | IRLF120 | JMPL1050AE | TT8U1

 

 

 

 

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