BSZ042N04NSG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSZ042N04NSG
   Código: 042N04N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 35 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 820 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSDSON8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSZ042N04NSG

BSZ042N04NSG Datasheet (PDF)

..1. Size:475K infineon
bsz042n04nsg.pdf

BSZ042N04NS GProduct Summary 3 Power-TransistorV 40 VDSFeaturesR 4.2mWDS(on),max Fast switching MOSFET for SMPSI 40 AD Optimized technology for DC/DC convertersPG-TSDSON-8 Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel; Normal level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Super

6.1. Size:447K infineon
bsz042n06ns.pdf

TypeBSZ042N06NSOptiMOSTM Power-TransistorFeaturesProduct Summary Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.VDS 60 V 100% avalanche testedRDS(on),max 4.2 mW Superior thermal resistanceID 40 A N-channelQOSS nC 32 Qualified according to JEDEC1) for target applicationsQG(0V..10V) nC 27 Pb-free lead plating; RoHS compliantTSDSON

9.1. Size:326K infineon
bsz040n04lsg.pdf

BSZ040N04LS GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeatures V 40 VDS Fast switching MOSFET for SMPS R 4.0mDS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 40 ADPG-TSDSON-8 Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) S

9.2. Size:1457K infineon
bsz040n06ls5.pdf

BSZ040N06LS5MOSFETTSDSON-8 FLOptiMOSTM Power-Transistor, 60 V(enlarged source interconnection)Features Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21Tab

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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