BSZ058N03MSG Todos los transistores

 

BSZ058N03MSG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSZ058N03MSG
   Código: 058N03M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 30 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 710 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSDSON8
 

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BSZ058N03MSG Datasheet (PDF)

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BSZ058N03MSG

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BSZ058N03MSG

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History: IXTA220N055T | APM4826K | BUK7E1R6-30E | AP9952GP-HF

 

 
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