BSZ100N03MSG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSZ100N03MSG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 2.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0091 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSDSON8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSZ100N03MSG

BSZ100N03MSG Datasheet (PDF)

..1. Size:628K infineon
bsz100n03msg.pdf

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5.1. Size:631K infineon
bsz100n03lsg.pdf

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6.1. Size:467K infineon
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6.2. Size:691K infineon
bsz100n06ns.pdf

TypeBSZ100N06NSOptiMOSTM Power-TransistorFeaturesProduct Summary Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.VDS 60 V 100% avalanche testedRDS(on),max 10 mW Superior thermal resistanceID A 40 N-channelQOSS nC 14 Qualified according to JEDEC1) for target applicationsQG(0V..10V) nC 12 Pb-free lead plating; RoHS compliantPG-TS

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: