IPA50R250CP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPA50R250CP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 63 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
Encapsulados: TO220FP
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IPA50R250CP datasheet
ipa50r250cp.pdf
INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor IPA50R250CP FEATURES With TO-220F package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Reduced switching and conduction losses 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATING
ipa50r280ce.pdf
MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS CE 500V CoolMOS CE Power Transistor IPA50R280CE Data Sheet Rev. 2.2 Final Power Management & Multimarket 500V CoolMOS CE Power Transistor IPA50R280CE TO-220 FP 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and p
ipa50r299cp.pdf
IPA50R299CP C IMOSTM $;B1= '=- >5>?;= $=;0@/? &@99-=D Features @Tjmax 550 V !0 V )DL HI ;>I / M . C6CI 1, #- 0) V . J6>A;> 9 688DG9>C 01>53 10 2;= V %6G9 6C9 HD;IHL>I8=>C
Otros transistores... IPA086N10N3G , IPA093N06N3G , IPA100N08N3G , IPA105N15N3G , IPA126N10N3G , IPA180N10N3G , IPA50R140CP , IPA50R199CP , AON7403 , IPA50R299CP , IPA50R350CP , IPA50R380CE , IPA50R399CP , IPA50R520CP , IPA60R099C6 , IPA60R125C6 , IPA60R125CP .
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