IPA50R299CP Todos los transistores

 

IPA50R299CP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPA50R299CP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.299 Ohm

Encapsulados: TO220FP

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IPA50R299CP datasheet

 ..1. Size:552K  infineon
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IPA50R299CP

IPA50R299CP C IMOSTM $;B1= '=- >5>?;= $=;0@/? &@99-=D Features @Tjmax 550 V !0 V )DL HI ;>I / M . C6CI 1, #- 0) V . J6>A;> 9 688DG9>C 01>53 10 2;= V %6G9 6C9 HD;IHL>I8=>C

 ..2. Size:201K  inchange semiconductor
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IPA50R299CP

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor IPA50R299CP FEATURES With TO-220F package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Reduced switching and conduction losses 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATING

 7.1. Size:1356K  infineon
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IPA50R299CP

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS CE 500V CoolMOS CE Power Transistor IPA50R280CE Data Sheet Rev. 2.2 Final Power Management & Multimarket 500V CoolMOS CE Power Transistor IPA50R280CE TO-220 FP 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and p

 7.2. Size:323K  infineon
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IPA50R299CP

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