IPA50R350CP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPA50R350CP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220FP
Búsqueda de reemplazo de IPA50R350CP MOSFET
IPA50R350CP Datasheet (PDF)
ipa50r350cp.pdf

IPA50R350CPCIMOSTM $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeatures @Tjmax 550 V!0 V )DL:HI ;>I / M ., + g 0. 50 DS(on) maxV 2 AIG6 ADL INV -7 ;G:: A:69 EA6I>C6CI 1, #JAA - (0)V . J6iified 688DG9>C 01>53:10 2;=V %6G9 6C9 HD;IHL>I8=>C
ipa50r350cp.pdf

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IPA50R350CPFEATURESWith TO-220F packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistanceReduced switching and conduction losses100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATING
ipa50r399cp.pdf

IPA50R399CPCIMOSTM $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeatures @Tjmax 550 V!0 V )DL:HI ;>I / M . C6CI 0) 1, #JAA - (V . J6Ai;>:9 688DG9>C 01>53:10 2;=V %6G9 6C9 HD;IHL>I8=>C
ipa50r380ce.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CE500V CoolMOS CE Power TransistorIPx50R380CE Data SheetRev. 2.0, 2010-08-27Final Industrial & Multimarket500V CoolMOS CE Power Transistor IPP50R380CE, IPA50R380CEIPI50R380CE1 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (S
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History: AM2347P | GP2M007A065XG | AP4501AGEM-HF | VP3203N3 | SPI21N50C3 | MS65R360R | AP6N1R7CDT
History: AM2347P | GP2M007A065XG | AP4501AGEM-HF | VP3203N3 | SPI21N50C3 | MS65R360R | AP6N1R7CDT



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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