IPA60R165CP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPA60R165CP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.165 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220FP
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IPA60R165CP Datasheet (PDF)
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IPA60R165CPCoolMOS Power TransistorProduct SummaryFeaturesV 1j max 650 V!0 V )DL:HI ;>I / xQgONR @T Y 0.165 DS(on) max jV 2 AIG6 ADL INV . J6A>;>:9 for industrial grade applications 688DG9>CC6CI; Halogen free mold compoundPGTO220
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INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IPA60R165CPFEATURESWith TO-220F packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistanceReduced switching and conduction losses100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATING
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History: SPB16N50C3 | 2P7154VC
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