IPA60R520E6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPA60R520E6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
Encapsulados: TO220FP
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IPA60R520E6 datasheet
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ipp60r520e6 ipa60r520e6.pdf
MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS E6 600V 600V CoolMOS E6 Power Transistor IPx60R520E6 Data Sheet Rev. 2.2 Final Power Management & Multimarket 600V CoolMOS E6 Power Transistor IPP60R520E6, IPA60R520E6 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and p
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INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor IPA60R520E6 FEATURES With TO-220F package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Reduced switching and conduction losses 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATING
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History: AP6N023H
History: AP6N023H
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