IPA65R380C6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPA65R380C6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 41 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
Encapsulados: TO220FP
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IPA65R380C6 datasheet
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INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IPA65R380C6 FEATURES With TO-220F packaging High speed switching Very high commutation ruggedness Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz APPLICATIONS PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching PC Silverbox, Adapte
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History: SUM90P10-19L | HM2302D | AS3434E
History: SUM90P10-19L | HM2302D | AS3434E
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