IPB090N06N3G Todos los transistores

 

IPB090N06N3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPB090N06N3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 71 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 640 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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IPB090N06N3G datasheet

 ..1. Size:687K  infineon
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IPB090N06N3G

pe IPB090N06N3 G IPP093N06N3 G 3 Power-Transistor Product Summary Features V D P 6?A BH>3 A53C96931C9?> 4A9E5B 1>4 43 43 ,&), R m , ?> =1G ,& P G35

 ..2. Size:815K  cn vbsemi
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IPB090N06N3G

IPB090N06N3G www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a TrenchFET Power MOSFET 0.012 at VGS = 10 V 60 60 0.013 at VGS = 4.5 V 50 D D2PAK (TO-263) G G D S S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit VGS Gate-So

 3.1. Size:295K  infineon
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IPB090N06N3G

 3.2. Size:204K  inchange semiconductor
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IPB090N06N3G

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IPB090N06N3 FEATURES With TO-263(D2PAK) packaging Ultra-fast body diode High speed switching Very low on-resistance Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

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