IPB090N06N3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPB090N06N3G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 71 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 640 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de IPB090N06N3G MOSFET
IPB090N06N3G Datasheet (PDF)
ipb090n06n3g ipp093n06n3g.pdf

pe IPB090N06N3 G IPP093N06N3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV D P 6?A BH>3 A53C96931C9?> 4A9E5B 1>4 43 43 ,&),R m , ?> =1G ,& P G35
ipb090n06n3g.pdf

IPB090N06N3Gwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 60600.013 at VGS = 4.5 V 50DD2PAK(TO-263)GGDSSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitVGSGate-So
ipb090n06n3 ipp093n06n3.pdf

Type IPB090N06N3 G IPP093N06N3 GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 60 VDS for sync. rectification, drives and dc/dc SMPSR 9mDS(on),max (SMD) Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 50 AD Very low on-resistance RDS(on) N-channel, normal level Avalanche rated Qualified according to JEDEC1) for target applications
ipb090n06n3.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPB090N06N3FEATURESWith TO-263(D2PAK) packagingUltra-fast body diodeHigh speed switchingVery low on-resistanceEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a
Otros transistores... IPB06CN10NG , IPB072N15N3G , IPB075N04LG , IPB080N03LG , IPB080N06NG , IPB081N06L3G , IPB083N10N3G , IPB08CNE8NG , AO4407 , IPB093N04LG , IPB096N03LG , IPB097N08N3G , IPB100N04S4-H2 , IPB107N20N3G , IPB108N15N3G , IPB114N03LG , IPB120N04S4-01 .
History: CMLDM7003E | PTF8N65 | 2SJ550L | STWA57N65M5 | PSMN4R3-80PS | DCC160M120G1 | BUK7505-30A
History: CMLDM7003E | PTF8N65 | 2SJ550L | STWA57N65M5 | PSMN4R3-80PS | DCC160M120G1 | BUK7505-30A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
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